高纯度硅晶片

详细介绍

高纯度硅晶片

规格：

● 制造方法：CZ法

● 平面方位：100

● OF位置：110

● 电阻值：0.1～100Ω・cm　※低电阻：≦0.02Ω・cm、高电阻：≧500Ω・cm

● 粒子：2-960-01～08／不论粒子、 2-960-51～62／≧0.3um、10个以下

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